特許
J-GLOBAL ID：200903027432828868
導体配線パターンの形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
▲柳▼川 信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-049527
公開番号（公開出願番号）：特開平10-247772
出願日： 1997年03月05日
公開日（公表日）： 1998年09月14日
要約：
【要約】【課題】 断線やショート不良がなく、大面積でも歩留まり良く微細かつ高精度な平坦性のある導体配線パターンを得る。【解決手段】 支持基板1上に配線パターンを形成すべき部分を凹部2とし、その他の部分をシリカ粒子含有レジスト3で被着する。このレジスト3の表面をエッチングしてシリカ粒子層4を形成し、その上に金属膜5を形成する。選択エッチングにより金属膜5をエッチングして、導体配線パターン6を得る。この配線パターン6とシリカ粒子含有レジスト3との膜厚を一致させることにより、配線段差のない平坦化構造が、微細かつ精度良く実現できる。
請求項（抜粋）：
支持基板の一主表面上に導体配線となるべき部分が凹状となるようにシリカ粒子含有レジストを使用してパターニング処理する工程と、このパターンニング処理後の表面をプラズマアッシング処理により前記シリカ粒子含有レジスト上にシリカ粒子を露出せしめる露出工程と、この露出工程後の表面に金属膜を被着形成する工程と、前記露出工程で露出したシリカ粒子を除去することによりその上の前記金属膜を除去する除去工程とを含むことを特徴とする導体配線パターンの形成方法。
IPC (4件)：
H05K 3/02
, H05K 1/09
, H05K 3/10
, H05K 3/24
H05K 3/02 A
, H05K 1/09 C
, H05K 3/10 E
, H05K 3/24 A
