発光ダイオード

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：矢口平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-181619
公開番号（公開出願番号）：特開平8-046239
出願日： 1994年08月02日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 AlGaInP系材料を発光部とする発光波長が593nmより短波長のLEDにおいて、電流拡散層として適当な組成のGaAlAsを提供する。【構成】発光波長が593nmより短いバンドギャップエネルギーEgのAlGaInP系材料を発光層103とするLEDにおいて、電流拡散層105のGa<SB>1-X</SB> Al<SB>X</SB>Asの組成を(0.872・Eg-1.391)<SP>1/2</SP> -0.094≦X<0.8とする。【効果】発光部における電流分布を改善し、発光ダイオードの輝度を向上させる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に発光部と電流拡散層とを有し、半導体基板、発光部、電流拡散層がそれぞれGaAs、AlGaInP系材料、GaAlAsからなり、かつ発光波長が593nmより短波長である発光ダイオードであって、前記電流拡散層を構成するGaAlAsのAl混晶比Xが(0.872・Eg-1.391)<SP>1/2</SP> -0.094≦X<0.8であることを特徴とする発光ダイオード。(但し、Egは発光層となるAlGaInP系材料のバンドギャップエネルギー、またXはGa<SB>1-X</SB> Al<SB>X</SB> As電流拡散層のAl混晶比をそれぞれ示す。)

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