特許
J-GLOBAL ID：200903027437994391
半導体の光触媒作用を利用した酸化・還元方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-277937
公開番号（公開出願番号）：特開平6-134476
出願日： 1992年09月22日
公開日（公表日）： 1994年05月17日
要約：
【要約】【構成】 反応相中の二酸化チタンなどの半導体に光を照射して触媒作用を発揮させ、これを利用して反応相中で酸化・還元反応を行なう方法において、前記反応相中にポリメチルメタクリレ-トなどの光ファイバ-を配し、この光ファイバ-を前記光の供給源として使用する。【効果】 反応相中にある半導体へ光エネルギ-を有効に与えることができ、半導体の光触媒作用を有効に発揮でき、それゆえ、酸化・還元反応を効率的になすことができる。また、種々の場所での反応に用いることができる。
請求項（抜粋）：
反応相中の半導体に光を照射して触媒作用を発揮させ、これを利用して反応相中で酸化・還元反応を行なう方法において、前記反応相中に光ファイバ-を配し、この光ファイバ-を前記光の供給源として使用することを特徴とする半導体の光触媒作用を利用した酸化・還元方法。
IPC (4件)：
C02F 1/72 101
, B01J 21/06
, B01J 35/02
, C02F 1/30
