特許
J-GLOBAL ID：200903027441488573
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-224183
公開番号（公開出願番号）：特開平5-063167
出願日： 1991年09月04日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：
【要約】【目的】半導体基板上に形成された絶縁膜を介して形成された半導体薄膜を有する集積回路装置での、一層の高集積化と、SOI構造に於ける静電気入力に対する一層効果的な保護回路を提供する。【構成】(1)絶縁膜に開孔部を設ける事、及び(2)開孔部から半導体基板と同一導電型叉は異なった導電型の不純物拡散層を形成する事、及び(3)開孔部から半導体基板叉は不純物拡散層と、半導体薄膜に形成した能動素子や受動素子から成る集積回路素子素子に延在して形成した回路接続用導電物質によって接続する事、及び(4)少なくとも開孔部から集積回路装置の外部に接続を要するパッド部迄直接叉は抵抗素子等の受動素子等を介して回路接続用導電物質にて接続する事。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された絶縁膜を介して形成された半導体薄膜を有する集積回路装置に於て、半導体基板上に形成された絶縁膜を介して形成された半導体薄膜を有する集積回路装置に於て、前記絶縁膜には開孔部が設けられて成る事を特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
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