特許

J-GLOBAL ID：200903027441810726

半導体プロセスシミュレーション方法および半導体プロセスシミュレーション装置

発明者： 上里 英樹
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-282213
公開番号（公開出願番号）：特開平10-125914
出願日： 1996年10月24日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：

【要約】【課題】 複数のチャネル長に対する不純物濃度分布の算出時間を短縮する。【解決手段】 同一プロセス条件における複数のチャネル長(1.2μm,0.5μm)の中の1つの最長のチャネル長(1.2μm)に対する不純物濃度分布をプロセスシミュレーションによって算出する(S1)。その他のチャネル長(0.5μm)に対する不純物濃度分布については、プロセスシミュレーションを行うことなく、前記のチャネル長(1.2μm)の不純物濃度分布からチャネル中央部分(0.7μm)に対応する部分を取り除き、残余の両端部分の不純物濃度分布を結合し(S2)、この不純物濃度分布を前記補完データに基づいて変更することによって、当該他のチャネル長(0.5μm)の不純物濃度分布を求める(S3)。上述のステップS2,S3の処理を繰返すことで残余のチャネル長の不純物の濃度分布が算出される(S4)。

請求項（抜粋）：

半導体のチャネル長に依存する不純物濃度分布を、半導体生成プロセスのプロセス条件に基づいてプロセスシミュレーションにより求める半導体プロセスシミュレーション方法において、チャネル長の変化に対応した不純物の濃度の変化量と前記プロセス条件との関係を補完データとして予め保有しておき、同一のプロセス条件における複数のチャネル長のうちの1つのチャネル長に対する不純物濃度分布を前記プロセスシミュレーションにより求め、このチャネル長のプロセスシミュレーション結果と前記補完データとに基づいて、他のチャネル長に対する不純物濃度分布を求めることを特徴とする半導体プロセスシミュレーション方法。

IPC (5件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/00 ,  H01L 21/66 ,  G06F 17/50

FI (5件)：

H01L 29/78 301 Z ,  H01L 21/00 ,  H01L 21/66 Z ,  H01L 21/66 N ,  G06F 15/60 666 S