特許

J-GLOBAL ID：200903027443188569

セラミック基体支持体

発明者： ローレンス チュン-ライ レイ ,  サル ウモトイ ,  シアオシオン ユアン ,  アンゾーン チャン ,  ホンビー テオー ,  アン エヌ ングイェン ,  ロン ローズ
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 中村 稔 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-184912
公開番号（公開出願番号）：特開2002-093894
出願日： 2001年06月19日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 処理中に基体を支持するための基体支持組立体を提供する。【解決手段】 一実施の形態においては、支持組立体138は、第1の側212及び第2の側214を有する上側セラミック板208と、第1の側及び埋込まれた電極を有する下側セラミック板210を含み、下側板の第1の側は上側板の第2の側に接合されてそれらの間にチャンネル290を限定している。別の実施の形態においては、支持組立体は、第1の側及び第2の側を有する第1の板を含む。第1の側上にはリングが設けられている。第1の側の、リングの半径方向内側には段付き表面が形成されている。第2の板が、第1の板の第2の側に接続されている。

請求項（抜粋）：

加工片を支持するための支持組立体であって、第1の側及び第2の側を有する第1のセラミック板と、前記第1の板の第2の側に接続されている第1の側、及び埋込まれた電極を有する第2のセラミック板と、前記第1の板の第2の側と前記第2の板の第1の側との間に限定されているチャンネルと、を備えていることを特徴とする支持組立体。

IPC (2件)：

H01L 21/68 ,  C23C 16/458

FI (2件)：

H01L 21/68 P ,  C23C 16/458

Fターム (19件)：

4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA06 ,  4K030GA02 ,  4K030KA24 ,  4K030KA26 ,  4K030KA46 ,  5F031CA02 ,  5F031HA02 ,  5F031HA03 ,  5F031HA08 ,  5F031HA16 ,  5F031HA33 ,  5F031HA38 ,  5F031HA40 ,  5F031MA28 ,  5F031NA05 ,  5F031NA15 ,  5F031PA11

引用特許：

審査官引用 (1件)

• CVD装置、マルチチャンバ方式CVD装置及びその基板処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-174896   出願人：日電アネルバ株式会社