特許

J-GLOBAL ID：200903027444472023

保護膜成膜方法、保護膜成膜装置および保護膜

発明者： 秋田 典孝
出願人/特許権者： 株式会社島津製作所
代理人 (1件)： 永井 冬紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-212136
公開番号（公開出願番号）：特開2003-027215
出願日： 2001年07月12日
公開日（公表日）： 2003年01月29日
要約：

【要約】【課題】 耐腐食性および耐剥離性に優れた保護膜を形成することができる成膜装置の提供。【解決手段】 基板S上にSi膜の中間層を成膜するDCマグネトロンスパッタ装置22には、チャンバ10内に酸素ガスを供給する酸素ガス供給部27が設けられている。そして、スパッタ開始前にチャンバ10内に酸素ガスを所定時間導入し、チャンバ内壁やターゲット表面等に酸素ガスを吸着させた後に、スパッタ作業を行って基板S上に中間層を成膜する。その結果、吸着されていた酸素ガスがラジカル化されて中間層であるSi膜中に取り込まれ、SiOX成分を含むSi膜が中間層として得られる。中間層の基板側はSiOX成分の濃度が大きく、炭素膜側はSi成分の濃度が大きい。そのため、炭素膜の耐剥離性を低下させることなく、中間層の耐腐食性を向上させることができる。

請求項（抜粋）：

Siターゲットを用いたスパッタ法により成膜対象にSi密着層を成膜し、前記Si密着層の上に炭素膜を成膜する保護膜成膜方法において、スパッタプロセスチャンバ内に酸素ガスを所定時間導入した後に、前記Si密着層の成膜を行うようにしたことを特徴とする保護膜成膜方法。

IPC (2件)：

C23C 14/06 ,  G11B 5/187

FI (3件)：

C23C 14/06 P ,  G11B 5/187 K ,  G11B 5/187 W

Fターム (20件)：

4K029BA34 ,  4K029BA35 ,  4K029BA46 ,  4K029BB02 ,  4K029BC01 ,  4K029BD04 ,  4K029CA05 ,  4K029CA06 ,  4K029DB02 ,  4K029EA05 ,  5D111AA19 ,  5D111BB28 ,  5D111BB48 ,  5D111FF01 ,  5D111FF15 ,  5D111GG09 ,  5D111GG14 ,  5D111JJ05 ,  5D111KK07 ,  5D111KK08