特許

J-GLOBAL ID：200903027448891101

X線リソグラフィマスクの製造方法およびX線リソグラフィマスク

発明者： 鈴木 克美
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 舘野 千惠子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-100204
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275319
出願日： 1992年03月27日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【目的】 超微細パターンの高精度転写が可能で、かつ取り扱いが容易なX線リソグラフィ用マスクの製造方法を提供する。【構成】 X線透過性薄膜の周囲を固着したSiウエハ11を分割して矩形枠状のSi支持枠11bとし、その裏面を矩形の開口部を有する支持枠14に固着させる。

請求項（抜粋）：

単結晶Siウエハの表面にX線透過性薄膜を堆積する工程と、該Siウエハの所定の領域を結晶方位依存性エッチングにより裏面から除去して前記X線透過性薄膜の裏面を露呈させ、この露呈したX線透過性薄膜の周囲のSi枠を残すとともに、前記エッチング領域を包囲するように蝕刻溝を形成する工程と、該蝕刻溝を境に前記Siウエハの不要な一部を除去する工程と、残るSi枠の裏面をガラスまたはSiもしくはセラミックス製支持枠に固着する工程と、前記X線透過性薄膜上に所望のX線吸収体パターンを形成する工程とからなることを特徴とするX線リソグラフィマスクの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/16

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-197115
  
• 特開昭61-222129
  
• 特開平1-161717