特許
J-GLOBAL ID：200903027450518639
内部導体の接続構造及び多層基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小原 肇
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2005001815
公開番号（公開出願番号）：WO2005-101935
出願日： 2005年02月08日
公開日（公表日）： 2005年10月27日
要約：
特許文献2、3に記載の従来の技術の場合には、ライン導体またはビア導体が接続ランドを有するため、セラミック基板を製造する際に接続ランドによってビア導体とライン導体との間の位置ズレやそれぞれの加工誤差等による接続不良を防止することができるが、例えば図8の(a)に示すように接続ランド3がビア導体2から隣接するビア導体2側に張り出しているため、その張り出した分だけビア導体2、2間の狭ピッチ化を妨げる。 本発明の内部導体の接続構造10は、セラミック多層基板11内で互いに隣接して配置された第1、第2ビア導体12、13と、セラミック多層基板11内に形成された第1ライン導体15とを接続する接続構造において、第1ビア導体12は、第2ビア導体13から遠ざかる方向に延設された第1連続ビア導体17を含み、且つ、第1ビア導体12は、第1連続ビア導体17を介して第1ライン導体15に接続されてなる。
請求項（抜粋）：
絶縁体基板内で互いに所定間隔を隔てて隣接する、少なくとも2箇所のビア導体と、上記絶縁体基板内に形成されたライン導体とを接続する内部導体の接続構造において、上記一方のビア導体は、上記他方のビア導体から遠ざかる方向に延設された連続ビア導体を含み、且つ、上記一方のビア導体は、上記連続ビア導体を介して上記ライン導体に接続されてなることを特徴とする内部導体の接続構造。
IPC (1件)：
FI (3件)：
H05K3/46 N
, H05K3/46 Z
, H05K3/46 H
5E346AA12
, 5E346AA15
, 5E346AA32
, 5E346AA43
, 5E346BB02
, 5E346CC18
, 5E346CC32
, 5E346DD02
, 5E346DD13
, 5E346DD45
, 5E346EE25
, 5E346FF18
, 5E346GG04
, 5E346GG06
, 5E346GG09
, 5E346HH25
, 5E346HH26
