特許
J-GLOBAL ID：200903027450814335

絶縁膜の形成方法及び、絶縁膜の形成装置

発明者：
佐藤 浩男

佐藤 浩男 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 森 哲也 ,  内藤 嘉昭 ,  崔 秀▲てつ▼
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-265283
公開番号（公開出願番号）：特開2006-080430
出願日： 2004年09月13日
公開日（公表日）： 2006年03月23日
要約：
【課題】 クラックの発生を抑制することができるようにした絶縁膜の形成方法及び、絶縁膜の形成装置を提供する。【解決手段】 メタル配線が形成された半導体基板上にTEOS膜を形成する方法であって、シリコンウエーハに一定の大きさ以上の反りが有るか無いかを検査し(ステップS1〜S3)、反りが有る場合には当該反りを強調する方向に応力が働くTEOS膜をシリコンウエーハ上に形成し(ステップS4,5)、反りが無い場合には応力特性が中庸であるTEOS膜をシリコンウエーハ上に形成する(ステップS6)。このような構成であれば、TEOS膜の応力はシリコンウエーハの反りを強調する方向に働くので、シリコンウエーハとTEOS膜との間で作用し合う力を緩和することができる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
メタル配線が形成された半導体基板上に絶縁膜を形成する方法であって、 前記半導体基板の反りを検査する工程と、 前記検査の結果に基づいて、前記反りを強調する方向に応力が働く前記絶縁膜を前記半導体基板上に形成する工程と、を含むことを特徴とする絶縁膜の形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/316 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522
FI (3件)：
H01L21/316 X ,  H01L21/31 B ,  H01L21/90 J
Fターム (21件)：
5F033SS04 ,  5F033SS11 ,  5F033TT02 ,  5F033XX06 ,  5F033XX17 ,  5F033XX19 ,  5F033XX37 ,  5F045AB32 ,  5F045BB13 ,  5F045CB05 ,  5F045EE17 ,  5F045GB01 ,  5F045GB04 ,  5F058BA04 ,  5F058BC02 ,  5F058BD04 ,  5F058BF25 ,  5F058BF29 ,  5F058BG10 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ03
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-257620   出願人：富士ゼロツクス株式会社
  • 半導体製造装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-343866   出願人：ソニー株式会社

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