特許

J-GLOBAL ID：200903027451895037

シリコンを有する結晶性アルカリ土類金属酸化物インターフェースを有する半導体基板の製造方法

発明者： ジヒ・ユ ,  ラビンドラナス・ドゥルーパッド ,  コレイ・ダニエル・オーバーガード ,  ジャマル・ラムダニ ,  ジェイ・エー・カーレス ,  ジェラルド・アレン・ホールマーク ,  ウィリアム・ジェイ・ウームス ,  ジュン・ワン
出願人/特許権者： モトローラ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 大貫 進介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-066646
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294554
出願日： 2000年03月10日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：

【要約】【解決課題】 シリコン10に対する薄い結晶性インターフェース14を製造する方法を提供すること。【解決手段】 本発明による方法は、表面(12)を有するシリコン基板(10)を準備し、シリコン基板の表面上に、シリコン、酸素および金属より成るインターフェース(14)を形成し、インターフェース(14)上に1以上の単結晶性酸化物層を形成することにより半導体基板を製造する方法である。このインターフェースは、XSiO2の形式で表されるシリコン、酸素および金属の原子層より成るものであり、ここでXは金属を表す。

請求項（抜粋）：

半導体基板を製造する方法であって:表面を有するシリコン基板を準備する段階;前記シリコン基板の前記表面上に、シリコン、酸素および金属より成るインターフェースを形成する段階;および前記インターフェース上に1以上の単結晶性酸化物層を形成する段階;より成ることを特徴とする方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/203 ,  H01L 41/24

FI (4件)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/203 M ,  H01L 41/22 A