半導体力学センサ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大川宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-249360
公開番号（公開出願番号）：特開平6-102109
出願日： 1992年09月18日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：

【要約】【目的】超小型化が可能な半導体力学センサを提供する。【構成】信号処理部Mをもつ第1基板部2と、起歪部41をもつ第2基板部4を張り合わせた張り合わせ基板1を用い、両基板部2,4間に形成された間隙部dが起歪部41を第1基板部2から独立して撓み可能とする。垂直信号伝送路7aは起歪部41で生じた信号を第1基板部2と第2基板部4との間の接合部を介して第1基板部2の表面部の信号処理部Mに伝送する。以上説明した本発明によれば、起歪部と信号処理部とが面直方向に重なる立体形式の半導体力学センサを実現することができ、半導体力学センサの必要チップ面積を短縮して超小型の半導体力学センサを実現でき、又は1チップに多数のセンサを集積することができる。

請求項（抜粋）：

第1基板部及び第2基板部を張り合わせてなる張り合わせ基板と、前記両基板部間の間隙部に面して前記第2基板部に形成され外力により歪む起歪部と、前記第1基板部を貫通して形成され前記起歪部が発生する歪みに関連する歪み信号を前記第1基板部の表主面に伝送する垂直信号伝送路と、前記間隙部を介して前記起歪部と重なって前記第1基板部の前記表主面に形成され前記垂直信号伝送路から前記歪み信号を受け取って処理する信号処理部と、を備えることを特徴とする半導体力学センサ。

IPC (3件)：

G01L 1/22 , G01L 9/04 101 , H01L 29/84

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平3-094169
特開昭61-137372
特開昭62-232171

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