特許

J-GLOBAL ID：200903027458317764

半導体記憶装置

発明者： 山崎 英治 ,  田中 均 ,  堀口 真志
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-182432
公開番号（公開出願番号）：特開平9-035480
出願日： 1995年07月19日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：

【要約】【構成】ヒューズあるいはボンディングにより値を変えられる抵抗により基準電圧を発生させ、その基準電圧に依存して変わる電圧変換回路の出力電圧をDRAMのビット線のプリチャージ電圧とする【効果】プリチャージ電圧が変更可能でありノイズマージンを最大にすることができる。

請求項（抜粋）：

第1の電圧変換手段と、前記第1の電圧変換手段の出力または外部電圧源を基準とする第2の電圧変換手段、少なくとも一対の入力出力線、前記入力出力線に開閉手段を介して接続された容量素子からなる複数の記憶手段、および前記一対の入出力線のうちの一方から読み出すときには他方を参照電圧線として用い、前記参照電圧線には前記第2の電圧変換手段の出力電圧を与え、前記第1の電圧変換手段または前記外部電圧源を電源とする増幅手段を有する半導体記憶装置において、前記第2の電圧変換手段の出力を電気的または機械的にプログラムすることにより変えられることを特徴とする半導体記憶装置。