特許
J-GLOBAL ID：200903027464201530
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-000307
公開番号（公開出願番号）：特開平5-183055
出願日： 1992年01月06日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：
【要約】【目的】 内部回路に対して択一的に接続されるVcc電源配線および基準電源配線の配線接続構造を改善することである。【構成】 Vcc電源配線の端部と基準電源配線の端部は内部回路の入力端子近傍に配置される。Vcc電源配線および基準電源配線の端部と内部回路の入力端子とは、半導体装置の仕様に応じていずれか一方のみが接続される。接続は、リードフレームとボンディングパッドとのボンディングワイヤ接続時に、同じボンディングワイヤ材料を用いて接続される。
請求項（抜粋）：
主表面を有する半導体基板と、前記半導体基板と対向配置され、所定の電位が与えられる電源用リードと、前記半導体基板の主表面に形成された電源用パッドと、前記電源用パッドと前記電源用リードとを接続する電源用ワイヤと、前記半導体基板上に形成され、前記電源用パッドと電気的に接続された電源用配線と、前記半導体基板に形成され、半導体装置としての仕様の決定あるいは前記半導体基板に形成された回路の使用の禁止を行なうための内部状態決定回路と、前記内部状態決定回路に接続され、前記電源用ワイヤと前記電源用パッドとの接続部における前記電源用ワイヤの幅より狭い間隔をもって前記電源用配線の所定部分と対向配置された部分を有し、前記半導体基板上に形成された内部状態決定回路用配線とを備えた、半導体装置。
FI (2件)：
H01L 21/82 L
, H01L 21/82 P
