特許

J-GLOBAL ID：200903027465332116

プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置

発明者： 久保田 正文 ,  林 重徳 ,  山中 通成
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-125344
公開番号（公開出願番号）：特開平10-312899
出願日： 1997年05月15日
公開日（公表日）： 1998年11月24日
要約：

【要約】【課題】 低圧力下で微細加工性にすぐれかつ再現性の良好なプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供することを目的とする。【解決手段】 真空室であるチャンバー1中に反応性ガスを導入するとともにチャンバー1内にパルス高周波電力によりプラズマを発生させ、チャンバー1内に設置された被エッチング試料5のドライエッチングを行う。この時、連続的に高周波電力を供給してプラズマを発生させる期間を設け、この期間内でインピーダンス整合を行なう。そして望ましくは、パルス高周波電力によりプラズマを発生させる際の実効投入電力と、連続的に高周波電力を供給してプラズマを発生させる際の投入電力とをほぼ等しくする。

請求項（抜粋）：

真空室中に反応性ガスを導入するとともに前記真空室中にパルス高周波電力によりプラズマを発生させ、前記真空室内に設置された試料のプラズマ処理を行うプラズマ処理方法であって、連続的に高周波電力を供給してプラズマを発生させる期間を設け、前記期間内でインピーダンス整合を行なうことを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (6件)：

H05H 1/46 ,  C23C 14/54 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (6件)：

H05H 1/46 B ,  C23C 14/54 B ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 A