特許

J-GLOBAL ID：200903027469462766

スタンパの製造方法

発明者： 川崎 実
出願人/特許権者： 日本ビクター株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-225669
公開番号（公開出願番号）：特開2003-036574
出願日： 2001年07月26日
公開日（公表日）： 2003年02月07日
要約：

【要約】【課題】 光ディスク基板を作製した際に、矩形状のエンボスパターンが得られるスタンパの製造方法を提供する。【解決手段】 基板1上にレジスト層2、シリコン3、レジスト層4を順次形成し、レジスト層4上方からレジスト層4のみの露光を行うと共にレジスト層2及びレジスト層4の両方の露光を行った後、現像を行ってレジスト層4にパターン6を形成した後、シリコン3をエッチングして、矩形溝を有するパターン7を形成し、更にパターン7から露出したレジスト層2を現像してパターン8を形成し、この状態からアッシングを行ってレジスト層4を除去すると共にレジスト層2の途中までの深さを有する第1矩形溝9にすると共にパターン8の溝8aを第2矩形溝10にし、パターン7表面、第1矩形溝9及び第2矩形溝10にNi層11を電鋳して矩形状の凸部を有するスタンパ12を作製する。

請求項（抜粋）：

基板上に第1フォトレジスト層、アモルファスシリコン、第2フォトレジスト層を順次形成する第1工程と、前記第2フォトレジスト層の上方から前記第2フォトレジスト層のみが感光する第1記録光によって露光を行って前記第2フォトレジスト層に第1潜像を形成し、前記第1記録光よりも強い第2記録光を用いて、前記第1フォトレジスト層及び前記第2フォトレジスト層の両方の露光を行って、前記第1潜像と異なる位置の前記第2フォトレジスト層に第2潜像を形成すると共にこの第2潜像真下の前記第1フォトレジスト層に第3潜像を形成する第2工程と、前記第2フォトレジスト層に形成された前記第1潜像及び前記第2潜像を現像して第1レジストパターンを形成する第3工程と、ドライエッチングにより、前記第1レジストパターンから露出した前記アモルファスシリコンをエッチングして、矩形溝を有するアモルファスシリコンパターンを形成する第4工程と、前記アモルファスシリコンパターンの矩形溝から露出した前記第1フォトレジスト層に形成された前記第3潜像を現像して、前記基板表面に達し、溝を有する第2レジストパターンを形成する第5工程と、アッシングにより、前記第2フォトレジスト層を除去すると共に前記アモルファスシリコンパターンの矩形溝から露出した前記第1フォトレジスト層の途中までの深さを有する第1矩形溝にすると共に前記第2レジストパターンの溝を第2矩形溝にする第6工程と、電鋳法により、前記アモルファスシリコンパターン、前記第1矩形溝及び前記第2矩形溝にNi層を形成する第7工程と、前記Ni層を前記アモルファスシリコンパターン、前記第1溝及び前記第2溝から剥離して、矩形状の凸部を有するスタンパを作製する第8工程と、からなることを特徴とするスタンパの製造方法。

IPC (2件)：

G11B 7/26 511 ,  G11B 7/26 501

FI (2件)：

G11B 7/26 511 ,  G11B 7/26 501

Fターム (11件)：

5D121BA05 ,  5D121BB01 ,  5D121BB04 ,  5D121BB07 ,  5D121BB22 ,  5D121BB26 ,  5D121BB33 ,  5D121BB40 ,  5D121CB08 ,  5D121GG04 ,  5D121GG30