特許
J-GLOBAL ID:200903027470022028
光電変換素子
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-327062
公開番号(公開出願番号):特開2005-093307
出願日: 2003年09月19日
公開日(公表日): 2005年04月07日
要約:
【課題】 光電変換性能を劣化させることなく、かつ、耐久性に優れた光電変換素子を提供する。【解決手段】 導電層、色素により増感された半導体ナノ粒子層、電荷輸送層及び対極を有する光電変換素子において、該電荷輸送層中にカーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンを含有することを特徴とする光電変換素子。 尚、前記電荷輸送層の溶融塩が複素環型オニウム塩であり、かつ該電荷輸送層中に多孔性の隔離層を設けること、前記半導体ナノ粒子がアナターゼ型酸化チタンであること、前記導電層が3価又は5価の金属原子がドープされている酸化錫又は金属アルミニウムを主成分とすること、前記色素がルテニウム金属錯体、金属フタロシアン色素、ポリメチン色素から選ばれること、は何れも好ましい態様である。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
導電層、色素により増感された半導体ナノ粒子層、電荷輸送層及び対極を有する光電変換素子において、該電荷輸送層中にカーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンを含有することを特徴とする光電変換素子。
IPC (2件):
FI (2件):
H01M14/00 P
, H01L31/04 Z
Fターム (16件):
5F051AA14
, 5F051BA18
, 5F051DA20
, 5F051FA02
, 5F051FA03
, 5F051FA08
, 5F051FA21
, 5F051FA30
, 5F051GA02
, 5H032AA06
, 5H032AS06
, 5H032AS16
, 5H032EE01
, 5H032EE02
, 5H032EE16
, 5H032EE17
引用特許:
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