半導体装置の微細パターン形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤谷修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-200297
公開番号（公開出願番号）：特開平7-037799
出願日： 1993年07月19日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：

【要約】【目的】反射防止膜の形成条件を広げ、効率的なパターン形成を実現する。【構成】半導体基板1上のAl等の配線をパターン形成する薄膜5に対し、この膜をレジストでパターン化させる際、薄膜5からの露光反射を防ぐため、反射防止膜として窒化シリコン膜(SiNx 膜) 6をプラズマCVD法等により成膜する。複素屈折率n'-jk のkが0でない時に減衰が生じて半透明となる。成膜条件としては屈折率n'の範囲で規定する。半透明な SiNx 膜は、化学量論組成よりもSi原子過剰な膜であればよい。干渉による反射率減衰の谷ピークの膜厚は組成および入射角によって多少変化する。減衰と干渉による反射率が60%以下であればどの膜厚でもよく、谷ピークとなる膜厚とする必要はない。入射角が45°の場合を考慮することでほぼ実情にあった反射率を利用できる。

請求項（抜粋）：

半導体装置の面上で、高反射率な被パターン膜上に、レジスト層を塗布し、露光、現像処理を行うホトリソグラフィを施して、該被パターン膜に所望パターンを形成する半導体装置の微細パターン形成方法において前記レジスト層と前記被パターン膜との間に、露光波長に対して半透明な窒化シリコン膜をおよそ200nm 以下で成膜し、前記窒化シリコン膜のN/Si組成比を0.50〜0.85の間に成膜することで前記被パターン膜からの反射光を光吸収と光干渉とで相乗的に減衰させることを特徴とする半導体装置の微細パターンの形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 7/11 503

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