特許
J-GLOBAL ID：200903027473499348
深孔探針の製造方法及びそれを用いた解析装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
薄田 利幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-045154
公開番号（公開出願番号）：特開平5-113307
出願日： 1991年03月11日
公開日（公表日）： 1993年05月07日
要約：
【要約】【目的】 走査トンネル顕微鏡等の解析装置による深孔の測定を可能とする。【構成】 探針の台座となる形状の化合物半導体結晶基板9上に、窓12を持つ絶縁膜8を形成し、上記窓12部の上記基板上に有機金属気相堆積法を用い、針状結晶の形状を基板温度、有機金属ガスの流量、濃度及び成長時間を変化させて制御し、上記基板表面と針状結晶成長方向の成す角度を、上記基板の結晶面方位を選択することによって針状結晶1を成長して探針とする。【効果】 孔径が数分の1μm以下でアスペクト比が10以上の深孔に対して、側壁および底部における形状観察、元素および電子状態の測定を原子1個のレベルで行うことができる。
請求項（抜粋）：
探針の台座となる形状の化合物半導体結晶基板上に、窓を持つ絶縁膜を形成し、上記窓部の上記基板上に有機金属気相堆積法を用い、針状結晶の形状を基板温度、有機金属ガスの流量、濃度及び成長時間を変化させて制御し、また上記基板表面と針状結晶成長方向の成す角度を、上記基板の結晶面方位を選択することによって針状結晶を成長して探針とすることを特徴とする深孔探針の製造方法。
IPC (3件)：
G01B 7/34
, H01J 9/14
, H01J 37/28
