特許
J-GLOBAL ID：200903027473610826
プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-312780
公開番号（公開出願番号）：特開平9-153486
出願日： 1995年11月30日
公開日（公表日）： 1997年06月10日
要約：
【要約】【課題】 大面積基板上における高品質薄膜形成、エッチングおよび表面処理を可能にし、大面積あるいは多面取り液晶表示パネルの製造、および、高スループットかつ高歩留りな液晶表示装置並びに半導体集積回路デバイス等の製造を実現するプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 真空容器2内に、一対の平行平板3a・3bと、平行平板3a・3b間にマイクロ波を投入するためのマイクロ波導波管4a(および/あるいは4b)と、平行平板3a・3b間に反応性ガスを導入するための反応性ガス導入路5とを備えたプラズマ処理装置1を用いて、平板3a上に基板10を設置し、平行平板3a・3b間に導入される反応性ガスを、平行平板3a・3b間に直接投入されるマイクロ波によってプラズマ化し、基板10のプラズマ処理を行う。
請求項（抜粋）：
真空容器内の互いに平行な一対の平行平板の一方の平板面上に基板などの被処理物を設置し、前記平行平板間に導入されるガスを用いて前記被処理物をプラズマ処理するプラズマ処理方法において、前記ガスのプラズマ化に、前記平行平板間に直接投入されるマイクロ波を用いることを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (6件)：
H01L 21/31
, C23C 16/50
, C30B 35/00
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
, H05H 1/46
H01L 21/31 C
, C23C 16/50
, C30B 35/00
, H01L 21/205
, H05H 1/46 C
, H05H 1/46 M
, H01L 21/302 C
