特許

J-GLOBAL ID：200903027479840904

半導体装置及びその製造方法

発明者： 黒川 敦
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-068686
公開番号（公開出願番号）：特開平11-265898
出願日： 1998年03月18日
公開日（公表日）： 1999年09月28日
要約：

【要約】【課題】 電極の剥離を防止。半導体装置の歩留まりを高める。【解決手段】 絶縁膜の開口部を通して下層の半導体層に接続される電極を有する半導体装置であって、前記電極は、前記絶縁膜と接する部分に前記絶縁膜との接着性が高い接着促進層を介在している。また、前記電極は、前記半導体層と接する部分に少なくとも貴金属を含む化合物層を介在している。前記貴金属は、白金、パラジウムの何れかである。前記接着促進層は、珪素、チタン、モリブデン、タングステン、ニッケル、クロム、タンタルの何れか又はこれらを含む化合物である。

請求項（抜粋）：

絶縁膜の開口部を通して下層の半導体層に接続される電極を有する半導体装置であって、前記電極は、前記絶縁膜と接する部分に前記絶縁膜との接着性が高い接着促進層を介在していることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/41

FI (2件)：

H01L 29/80 M ,  H01L 29/44 Z