特許
J-GLOBAL ID:200903027483309067

含フツ素系ポリイミド樹脂膜パターンの製造法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 若林 邦彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-237498
公開番号(公開出願番号):特開平5-072736
出願日: 1991年09月18日
公開日(公表日): 1993年03月26日
要約:
【要約】【目的】感光性樹脂膜の現像と低誘電率材料被膜のエッチングを同時に行い、クラックの発生しないパターンの製造法を提供する。【構成】四塩基酸二無水物とジアミンとを有機溶剤中で反応させて得られる一般式(I)(R1は4 価の有機基、R2は2 価の有機基、R はH又は炭素数4 以下のアルキル基、n は1 以上の整数。R1とR2の少なくとも一方はFを有する) で表されるポリアミド酸溶液を基板上に塗布し、160 〜200 °Cの範囲で熱処理して含フッ素系ポリイミド樹脂膜4を形成し、この膜上に感光性ポリイミド樹脂膜5を形成した後、フォトマスクを介して露光し、次いで現像液により感光性ポリイミド樹脂膜の現像処理と含フッ素系ポリイミド樹脂膜のエッチング加工を同時に行う。
請求項(抜粋):
四塩基酸二無水物とジアミンとを有機溶剤中で反応させて得られる一般式(I)【化1】(式中、R1 は4価の有機基、R2 は2価の有機基、Rは水素または炭素数4以下のアルキル基、nは1以上の整数を示し、R1 およびR2 の少なくとも一方はフッ素原子を有する)で表されるポリアミド酸溶液を基板上に塗布し、160〜200°Cの範囲で熱処理して含フッ素系ポリイミド樹脂膜を形成し、この膜上に感光性ポリイミド樹脂膜を形成した後、フォトマスクを介して露光し、次いで現像液により感光性ポリイミド樹脂膜の現像処理と含フッ素系ポリイミド樹脂膜のエッチング加工を同時に行うことを特徴とする含フッ素系ポリイミド樹脂膜パターンの製造法。
IPC (7件):
G03F 7/038 504 ,  G03F 7/027 514 ,  G03F 7/038 505 ,  G03F 7/11 503 ,  G03F 7/26 511 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/312

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