特許
J-GLOBAL ID：200903027485490036
固体撮像装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-241005
公開番号（公開出願番号）：特開平5-082770
出願日： 1991年09月20日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：
【要約】【目的】 残像および信号電荷蓄積容量の劣化を抑制して、読み出し電圧の安定化を実現できる固体撮像装置およびその製造方法を提供する。【構成】 電荷蓄積領域3から光信号電荷を読み出す信号電荷読み出し領域8aが不純物濃度の低い領域11aと高い領域12aとからなる。またその製造方法は、信号電荷読み出し領域8aに不純物濃度の低い領域11aと高い領域12aとを選択的に形成するために、加速エネルギーまたは注入角度を変えて複数回イオン注入を行なう工程を有する
請求項（抜粋）：
一導電型の半導体基板の主面に反対導電型のウェル領域が形成され、前記ウェル領域上に複数の受光部を形成する一導電型の電荷蓄積領域と、電荷転送のためのシフトレジスタを形成する一導電型の埋め込み領域と、前記電荷蓄積領域に蓄積された光検出信号電荷を前記シフトレジスタに読み出し制御するための信号電荷読み出しゲート電極およびその読み出しゲート電極直下に反対導電型の信号電荷読み出し領域とを備えた固体撮像装置において、前記信号電荷読み出し領域が、不純物濃度の低い領域と高い領域とで形成された固体撮像装置。
IPC (3件)：
H01L 27/148
, H01L 21/265
, H04N 5/335
H01L 27/14 B
, H01L 21/265 F
