特許

J-GLOBAL ID：200903027488525256

TFT型液晶表示装置およびその製造方法

発明者： 三井 健二
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 石井 和郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-359901
公開番号（公開出願番号）：特開2002-033485
出願日： 2000年11月27日
公開日（公表日）： 2002年01月31日
要約：

【要約】【課題】 多結晶珪素膜を薄してもトランジスタのソースおよびドレイン領域の抵抗が増加することなく、トランジスタ特性を低下させることのないTFT型液晶表示装置を提供すること。【解決手段】 MIS型トランジスタの半導体層において、ゲート電極に相対するチャンネル部の膜厚が、ソース電極部およびドレイン電極部の膜厚より薄い構造を有するTFT型液晶表示装置とその製造方法であって、第1の半導体層を形成する工程と、第1の半導体層の一部をエッチングする工程と、第1の半導体層を覆う第2の半導体層を形成する工程とを有することを特徴とするTFT型液晶表示装置の製造方法。また、前記半導体層の一部を途中までエッチングすることによっても膜厚に差を設けることができる。

請求項（抜粋）：

MIS型トランジスタの半導体層において、ゲート電極に相対するチャンネル部の膜厚が、ソース電極部およびドレイン電極部の膜厚より薄い構造を有することを特徴とするTFT型液晶表示装置。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/78 618 D ,  H01L 29/78 618 C ,  H01L 29/78 627 G

Fターム (29件)：

5F052AA02 ,  5F052AA17 ,  5F052DA02 ,  5F052DB03 ,  5F052JA01 ,  5F110AA26 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110CC06 ,  5F110DD02 ,  5F110EE03 ,  5F110FF02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK35 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110PP03 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ11