特許

J-GLOBAL ID：200903027488530845

ウエハ基板の再生方法

発明者： 井上 秀敏 ,  高田 悟 ,  原 宣宏
出願人/特許権者： コウベ プレシジョン インク ,  株式会社神戸製鋼所
代理人 (1件)： 小谷 悦司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-176113
公開番号（公開出願番号）：特開2002-057129
出願日： 2001年06月11日
公開日（公表日）： 2002年02月22日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウエハ基板より、ウエハ基板を再生する際に、プライム級ウエハ基板とほぼ同等の品質を有するウエハ基板を製造する方法を提供する。【解決手段】 半導体ウエハ基板を再生する方法であって、前記半導体ウエハ基板の表面被膜層を化学エッチングにより除去する工程;前記ウエハ基板の一方の面を機械的加工により小量除去する工程;前記機械的加工によって生じた変質層を化学エッチングにより除去する工程;及びウエハ基板の他方の面を鏡面研磨する工程とを含むウエハ基板の再生方法である。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハ基板を再生する方法であって、前記半導体ウエハ基板の表面被膜層を化学エッチングにより除去する工程;ウエハ基板の一方の面を機械的加工により小量除去する工程;前記機械的加工によって生じた変質層をさらに化学エッチングにより除去する工程;及び前記ウエハ基板の他方の面を鏡面研磨する工程を含むことを特徴とするウエハ基板の再生方法。

IPC (5件)：

H01L 21/304 601 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/304 621 ,  B24C 1/08 ,  H01L 21/306

FI (5件)：

H01L 21/304 601 Z ,  H01L 21/304 601 S ,  H01L 21/304 621 D ,  B24C 1/08 ,  H01L 21/306 M

Fターム (6件)：

5F043AA02 ,  5F043AA24 ,  5F043AA29 ,  5F043BB01 ,  5F043DD16 ,  5F043GG10