特許

J-GLOBAL ID：200903027495933238

シリコンを結晶化するためのルツボ

発明者： ランクル,ジルベール
出願人/特許権者： ベスビウス クルーシブル カンパニー
代理人 (6件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  永坂 友康 ,  小林 良博 ,  蛯谷 厚志
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-518733
公開番号（公開出願番号）：特表2008-544937
出願日： 2006年06月30日
公開日（公表日）： 2008年12月11日
要約：

本発明は、シリコンを結晶化するためのルツボ、そしてルツボ内で凝固せしめられ、次いでインゴットとして取り出される融解材料を取り扱う際に使用されるルツボのための離型コーティングの調製及び使用に関し、さらに詳しく述べると、多結晶シリコンの凝固に使用されるルツボのための離型コーティングに関する。本発明者の目的は、最終使用者の設備において非常に厚いコーティングの作製を必要とせず、作製がより迅速かつ安価であり、改良された離型効果を奏し、そしてクラックを伴わずにインゴットを製造することを可能となすルツボを提供することであった。このたび判明したところによると、これらの課題は、a)内部容積を規定する底面及び側壁を含む基体と、b)内部容積に対面した側壁の表面にあって80〜100重量%の窒化ケイ素を含む基材層と、c)基材層の上にあって50〜100重量%のシリカを含む中間層と、d)中間層の上にあって、50〜100重量%の窒化ケイ素、50重量%までの二酸化ケイ素及び20重量%までのシリコンを含む表面層とを含んでなるシリコンを結晶化するためのルツボをもって解決することができる。

請求項（抜粋）：

a)内部容積を規定する底面(21)及び側壁(22)を含む基体(2)、 b)前記内部容積に対面した側壁(22)の表面にあって80〜100重量%の窒化ケイ素を含む基材層(25)、 c)前記基材層(25)の上にあって50〜100重量%のシリカを含む中間層(3)、及び d)前記中間層の上にあって、50〜100重量%の窒化ケイ素、50重量%までの二酸化ケイ素及び20重量%までのシリコンを含む表面層(4) を含んでなる、シリコンを結晶化するためのルツボ(1)。

IPC (3件)：

C01B 33/02 ,  C04B 41/87 ,  C04B 41/89

FI (3件)：

C01B33/02 E ,  C04B41/87 R ,  C04B41/89 K

Fターム (7件)：

4G072AA01 ,  4G072BB01 ,  4G072BB12 ,  4G072GG04 ,  4G072HH01 ,  4G072MM38 ,  4G072NN02

引用特許：

審査官引用 (1件)

• シリコン鋳造用鋳型およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-102673   出願人：京セラ株式会社