特許
J-GLOBAL ID：200903027496801130
半導体ウエハ処理液
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-310711
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163495
出願日： 1992年11月20日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：
【要約】【目的】 パ-ティクルとともに金属不純物を半導体ウエハ表面から充分に除去することが可能な半導体ウエハ処理液を提供する。【構成】 水性溶媒を主成分とし、前記水性溶媒中に下記一般式で示されるヒドラゾン誘導体及びその互変異性体の少なくとも1種を添加成分として含有する。【化1】(式中、R1 ,R2 はアシル基またはo位の少なくとも一方がヒドロキシ基、カルボニル基及びこれらの塩のいずれか1種で置換された芳香族炭化水素基もしくは芳香族複素環基、R3 は水素原子または置換されていてもよい芳香族炭化水素基、複素環基、脂肪族炭化水素基もしくは脂環式炭化水素基を表す。)【効果】 半導体ウエハ表面を極めて清浄な状態にすることができる。
請求項（抜粋）：
水性溶媒を主成分とし、前記水性溶媒中に下記一般式で示されるヒドラゾン誘導体及びその互変異性体の少なくとも1種を添加成分として含有することを特徴とする半導体ウエハ処理液。【化1】(式中、R1 ,R2 はアシル基またはo位の少なくとも一方がヒドロキシ基、カルボニル基及びこれらの塩のいずれか1種で置換された芳香族炭化水素基もしくは芳香族複素環基、R3 は水素原子または置換されていてもよい芳香族炭化水素基、複素環基、脂肪族炭化水素基もしくは脂環式炭化水素基を表す。)
IPC (2件)：
H01L 21/304 341
, C11D 7/32
