光変調器

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：有我軍一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-216126
公開番号（公開出願番号）：特開2009-048087
出願日： 2007年08月22日
公開日（公表日）： 2009年03月05日
要約：

【課題】光変調特性が高性能であるとともに、安定性について改善された光変調器を提供する。【解決手段】z-カットLN基板1と、該基板に形成された光導波路3と、該基板の上方に形成されるSiO2バッファ層2と、SiO2バッファ層に積層される導電層5と、導電層の上方に配置され、中心導体4aと接地導体4b、4cとを含む進行波電極4と、を有し、進行波電極が、光導波路を導波する光の位相を変調する変調部17と、入力部18と、出力部19とによって構成され、該基板において変調部を伝搬する高周波電気信号の電界強度が強い領域の少なくとも一部を掘り下げることにより設けられた凹部31、32、33により形成されるリッジ部45、46を有する光変調器において、該基板が、入力部および出力部における中心導体と接地導体との間の少なくとも一部を掘り下げることにより形成された凹部34、35を有する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

電気光学効果を有する基板と、前記基板に形成され光を導波するための光導波路と、前記基板の上方に形成されるバッファ層と、前記バッファ層に積層される導電層と、前記導電層の上方に配置され、中心導体と接地導体とを含む進行波電極と、を有し、前記進行波電極が、前記光導波路を導波する光の位相を変調する変調部と、前記変調部に前記高周波電気信号を印加するための入力部と、前記変調部を通過した前記高周波電気信号を出力するための出力部とによって構成され、前記基板において前記変調部を伝搬する高周波電気信号の電界強度が強い領域の少なくとも一部を掘り下げることにより設けられた凹部により形成されるリッジ部を有する光変調器において、前記基板が、前記入力部および前記出力部における前記中心導体と前記接地導体との間の少なくとも一部を掘り下げることにより形成された凹部を有することを特徴とする光変調器。

IPC (1件)：

G02F 1/035

FI (1件)：

G02F1/035

Fターム (9件)：

2H079AA02 , 2H079AA12 , 2H079BA01 , 2H079BA03 , 2H079DA03 , 2H079DA22 , 2H079EA05 , 2H079EB04 , 2H079HA23

引用特許：

出願人引用 (2件)

光変調素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-086896 出願人：住友大阪セメント株式会社
光変調器
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-173980 出願人：富士通株式会社

審査官引用 (2件)

光変調素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-086896 出願人：住友大阪セメント株式会社
光変調器
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-173980 出願人：富士通株式会社

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