特許
J-GLOBAL ID：200903027504619444
電力用半導体素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大胡 典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-270867
公開番号（公開出願番号）：特開2001-094104
出願日： 1999年09月24日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：
【要約】【課題】 ラッチアップ耐量を向上して、安全動作領域(SOA)を広くした電力用半導体素子を提供すること。【解決手段】 素子のターンオフ時に素子領域外から流れてくる正孔を排出するための外周部(コンタクト面積比が高い)の幅xを(0.1×L≦x、L:キャリアの拡散長)とすることにより正孔電流密度を低くした。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、主電流を流すために前記半導体基板上に選択的に形成された素子領域と、前記素子領域内に選択的に形成された電極と、前記素子領域内にあって、前記半導体基板と前記電極とが接続されるコンタクト領域と、前記半導体基板上に選択的に形成された、電流制御用のゲート配線またはゲートパッドからなるゲート領域と、前記半導体基板上に、前記素子領域の耐圧を持たせるために選択的に形成された接合終端領域とを備えた電力用半導体素子であって、前記素子領域内で、前記接合終端領域または前記ゲート領域に接する外周部分の前記コンタクト領域の面積比が、前記素子領域の他の部分よりも高いことを特徴とする電力用半導体素子。
FI (2件)：
H01L 29/78 655 F
, H01L 29/78 653 A
