特許
J-GLOBAL ID：200903027506965862
半導体装置の製造方法および装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-276983
公開番号（公開出願番号）：特開平6-132266
出願日： 1992年10月15日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：
【要約】【構成】被処理物1の保持を周辺の数点で行い、被処理物1の両面に紫外線,反応ガスを供給するようにする。【効果】被処理物の装置への付着が周辺のみで面積が少ないので異物付着を大幅に減少させることができ、被処理物の両面に紫外線,反応ガスを供給でき両面の処理を同時にできる。
請求項（抜粋）：
被処理物の表裏面に紫外線と反応ガスを同時に供給する工程を持つことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/302
