特許

J-GLOBAL ID：200903027507707247

アルキルヒドリドシロキサン樹脂からのナノ多孔質シリコーン樹脂の製造方法

発明者： ビアンシャオ・ジョン
出願人/特許権者： ダウ・コ-ニング・コ-ポレ-ション
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-377614
公開番号（公開出願番号）：特開2001-240673
出願日： 2000年12月12日
公開日（公表日）： 2001年09月04日
要約：

【要約】【課題】 電子デバイス上の電気絶縁コーティングのために有用な低誘電率フィルムを生成するために用い得るナノ多孔質シリコーン樹脂の製造。【解決手段】 少なくとも5%のケイ素原子が少なくとも1つの炭素原子数8〜28のアルキル基で置換され、少なくとも45%のケイ素原子が水素原子に結合され、ケイ素原子の残りの結合が酸素原子に結合されるアルキルヒドリドシロキサン樹脂を、炭素原子数8〜28のアルキル置換基の硬化および熱分解を実行するのに十分な温度で加熱し、それによりナノ多孔質シリコーン樹脂を生成する。

請求項（抜粋）：

ナノ多孔質シリコーン樹脂の製造方法であって、少なくとも5%のケイ素原子が少なくとも1つの炭素原子数8〜28のアルキル基で置換され、少なくとも45%のケイ素原子が水素原子に結合され、ケイ素原子の残りの結合が酸素原子に結合されるアルキルヒドリドシロキサン樹脂を、該炭素原子数8〜28のアルキル置換基の硬化および熱分解を実行するのに十分な温度で加熱し、それによりナノ多孔質シリコーン樹脂を生成することを包含する方法。

IPC (7件)：

C08G 77/02 ,  B05D 3/02 ,  B05D 7/24 302 ,  C08J 9/02 CFH ,  C09D183/05 ,  H01L 21/312 ,  C08L 83:05

FI (7件)：

C08G 77/02 ,  B05D 3/02 Z ,  B05D 7/24 302 Y ,  C08J 9/02 CFH ,  C09D183/05 ,  H01L 21/312 C ,  C08L 83:05