特許

J-GLOBAL ID：200903027510369387

半導体装置

発明者： 小島 英嗣
出願人/特許権者： カシオ計算機株式会社
代理人 (1件)： 杉村 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-269491
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106581
出願日： 1993年10月04日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：

【要約】【目的】 オン電流を低下させることなく、ソース領域側から見たオフ電流を低減する。【構成】 ほぼT字状のポリシリコン薄膜1の中心部は真性領域からなるチャネル領域2とされ、チャネル領域2の右側はn型不純物領域からなるソース領域3とされ、チャネル領域2の左側はn型不純物領域からなるドレイン領域4とされ、チャネル領域2の手前側はp型不純物領域からなる他導電型不純物領域5とされている。オンの場合には、ドレイン領域4-チャネル領域2-ソース領域3の間にオン電流が流れ、オフの場合には、ドレイン領域4-チャネル領域2-他導電型不純物領域5の間にオフ電流が流れる。したがって、オン電流を低下させることなく、ソース領域3側から見たオフ電流を低減することができる。

請求項（抜粋）：

一導電型不純物領域からなるソース領域と同じく一導電型不純物領域からなるドレイン領域との間に設けられた真性領域からなるチャネル領域の前記ソース領域および前記ドレイン領域と接しない一側面側に他導電型不純物領域を設けたことを特徴とする半導体装置。