特許

J-GLOBAL ID：200903027513395346

半導体集積回路装置の製造方法

発明者： 前田 明寿
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-156606
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005722
出願日： 1992年06月16日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：

【要約】【目的】多層配線におけるコンタクトホール又はスルーホールのオーミックコンタクトの信頼性を向上させる。【構成】層間絶縁膜に設けたコンタクトホール17のスパッタエッチングを不活性ガスと反応性ガスの混合ガス中で行ない、下層のアルミニウム配線13の表面に生じた付着物を除去した後、外気に晒すことなくスパッタリングによりアルミニウム膜を堆積してパターニングし、上層のアルミニウム配線19を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けた拡散層又は配線を含む表面に絶縁膜を形成して選択的にエッチングし前記拡散層又は配線の表面を露出させる開口部を形成する工程と、前記開口部を含む表面を不活性ガスと反応性ガスの混合ガスによりスパッタエッチングして前記開口部の拡散層又は配線の表面の付着物を除去する工程と、前記開口部を大気に晒すことなく引続きスパッタリングにより金属膜を堆積する工程と、前記金属膜を選択的にエッチングして前記拡散層又は配線と電気的に接続する電極配線を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/28