特許

J-GLOBAL ID：200903027513775084

薄膜ガスセンサ

発明者： 田畑 総一 ,  檜垣 勝己 ,  国原 健二 ,  小知和 眞一
出願人/特許権者： 大阪瓦斯株式会社 ,  富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-016850
公開番号（公開出願番号）：特開2002-221506
出願日： 2001年01月25日
公開日（公表日）： 2002年08月09日
要約：

【要約】【課題】 低熱容量構造として電池駆動に十分耐えられるようにする。【解決手段】 Si基板1の表面に電極6を形成してその上に感応層(SnO2)を形成し、さらにその上に触媒フィルタ層7を形成してガス選択性を持たせた薄膜ガスセンサの上記触媒フィルタ層7を、貴金属触媒を担持したシリカゲルまたはゼオライトを主成分とする多孔質体から構成することで、高温高湿の雰囲気下でもH2 感度の上昇を抑制でき、しかもCH4 感度の低下が少なくH2 選択性に優れた薄膜ガスセンサを提供可能とする。

請求項（抜粋）：

薄膜状の支持膜の外周または両端部を電気絶縁性基板により支持し、外周または両端部が厚く中央部が薄く形成されたダイアフラム様の支持基板上に薄膜のヒータを形成し、この薄膜ヒータを電気絶縁膜で覆い、その上にガス感知膜用の電極を形成し、さらに半導体薄膜からなる感知膜を形成した後、その最表面に触媒フィルタ層を設けてなる薄膜ガスセンサにおいて、前記触媒フィルタ層が貴金属触媒を担持したシリカゲルまたはゼオライトを主成分とする多孔質体であることを特徴とする薄膜ガスセンサ。

IPC (2件)：

G01N 27/12 ,  G01N 27/04

FI (2件)：

G01N 27/12 C ,  G01N 27/04 F

Fターム (25件)：

2G046AA02 ,  2G046AA05 ,  2G046AA19 ,  2G046BA01 ,  2G046BB02 ,  2G046BD02 ,  2G046BD05 ,  2G046BD06 ,  2G046BE03 ,  2G046EA10 ,  2G046FB02 ,  2G046FE03 ,  2G046FE29 ,  2G046FE31 ,  2G046FE38 ,  2G060AA02 ,  2G060AB03 ,  2G060AB17 ,  2G060AE19 ,  2G060BA01 ,  2G060BB12 ,  2G060BB14 ,  2G060BB18 ,  2G060BD10 ,  2G060JA01