半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-222960
公開番号（公開出願番号）：特開平7-078789
出願日： 1993年09月08日
公開日（公表日）： 1995年03月20日
要約：

【要約】【目的】ボンディング・パッド部が形成される上層配線とこの上層配線の下地となる層間絶縁膜との密着性が良く,かつこの上層配線と下層配線層とのコンタクト抵抗が低く抑えることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【構成】N+ 型拡散層103等の下層配線層が形成された後、シラン系ガスとN2 Oガスとを原料にしたプラズマCVD法による酸化シリコン膜からなる層間絶縁膜105が形成される。コンタクト孔106が形成された後、チタン膜107,窒化チタン膜108が堆積され、所定条件のRTAが施され、コンタクト孔106底部にチタンシリサイド膜109が形成される。少なくともアルミ合金膜110が堆積された後、所定のパターニングにより少なくとも上記3層が積層された構造の上層配線が形成される。

請求項（抜粋）：

シリコン基板の表面に選択的にフィールド酸化膜を形成する工程と、少なくとも前記シリコン基板表面に下層配線層を形成する工程と、少なくともその上面がシラン系ガスおよび1酸化2窒素ガスを原料にしたプラズマCVD法により形成される酸化シリコン膜からなる層間絶縁膜を、全面に形成する工程と、所定の個所の前記層間絶縁膜のエッチングを行ない、前記下層配線層に達する接続孔を形成する工程と、全面にチタン膜と窒化チタン膜とを順次形成し、熱処理を行なう工程と、全面に少なくともアルミ系金属膜を形成する工程と、所定の個所の少なくとも前記アルミ系金属膜,前記窒化チタン膜および前記チタン膜を順次エッチングして上層配線を形成する工程と、全面に表面保護膜を形成し、所定の個所の該表面保護膜をエッチングして前記上層配線に達する開口部を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/316 , H01L 21/3205

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平2-082532
特開平2-122653
特開平1-268154

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