シリコン単結晶中の酸素濃度の低減方法及びその装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：須田正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-308026
公開番号（公開出願番号）：特開平9-142990
出願日： 1995年11月28日
公開日（公表日）： 1997年06月03日
要約：

【要約】【課題】石英るつぼ内のシリコン融液の対流を制御することにより、シリコン単結晶中に含まれる酸素濃度を極めて低く抑えることができる。【解決手段】シリコン単結晶25の外周面と石英るつぼ13の内周面との間に円筒状の区画部材26が挿入され、この区画部材はその下端がシリコン融液12表面近傍まで延びてチャンバ11内をシリコン単結晶側とるつぼ内周面側とに区画する。区画部材の下端に接続された整流部材27がシリコン融液表面を覆い、この整流部材の下面のうちシリコン単結晶近傍に形成された吸入口27aは整流部材内部から区画部材内部にかけて形成された通路30に連通する。ガス給排手段34によりるつぼ内周面側に供給された不活性ガスは整流部材及びシリコン融液表面間を整流部材の外周縁から内周縁に向って流れ、更に吸入口及び通路を介してチャンバ外に排出される。

請求項（抜粋）：

シリコン単結晶(25)をチャンバ(11)内の石英るつぼ(13)に貯留されたシリコン融液(12)から引上げるときに前記チャンバ(11)内に供給された不活性ガスを前記シリコン融液(12)の表面に導き、前記シリコン融液(12)の表面で前記石英るつぼ(13)の内周面側から前記シリコン単結晶(25)の外周面側に前記不活性ガスを流して前記シリコン融液(12)の対流方向を制御するシリコン単結晶中の酸素濃度の低減方法。

IPC (3件)：

C30B 29/06 502 , C30B 15/22 , H01L 21/208

FI (3件)：

C30B 29/06 502 H , C30B 15/22 , H01L 21/208 P

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