特許
J-GLOBAL ID:200903027522058735
電界放出素子
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (2件):
西村 教光 (外1名)
, 西村 教光
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-071219
公開番号(公開出願番号):特開平5-274997
出願日: 1992年03月27日
公開日(公表日): 1993年10月22日
要約:
【要約】【目的】 動作電圧が小さく、エミッタが破損しにくい電界放出素子を提供する。【構成】 基板2の上面にはエミッタ4が設けられている。エミッタ4は基部6と複数の矩形の先端部7から成る。基板2上に設けられた凹部3内にはゲート5が設けられ、エミッタ4の先端部7と近接している。エミッタ4の先端部7の幅aと、先端部7,7の間隔bは、b/a=2の寸法比に設定されている。エミッタ4の各先端部7に印加される電界強度はb/a≦1の従来品に比べて大幅に増大し、動作電圧が低減して十分なエミッタ電流が得られる。
請求項(抜粋):
エミッタとゲートを備えた電界放出素子において、前記エミッタは、基部と該基部から突出した複数の先端部からなり、前記各先端部の幅aと各先端部相互間の間隔bの各値が式b/a>1を満たすことを特徴とする電界放出素子。
引用特許:
審査官引用 (3件)
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特開平4-073837
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特開昭64-054649
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特開平4-056040
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