特許
J-GLOBAL ID：200903027527167559
半導体製造用位相シフトマスク
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大貫 進介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-206251
公開番号（公開出願番号）：特開平5-197129
出願日： 1992年07月10日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の製造に用いられる新規な位相シフトマスクを提供する。【構成】 位相シフトマスク(24)は所望の半導体の構造である所定のパターンを含むパターン層(26)を持ち、前記半導体の構造は前記パターン層の複数のすき間として形成される。それぞれのすき間の所定の距離内に位相シフト領域(31,36,37)を形成するために等形の被膜(27)が前記マスクに施される。この等形の被覆はそれぞれ異なった厚さを持つ二つの領域(31,32)を形成する。厚い領域または位相シフト領域を通過する光の位相は薄い領域(32)を通過する光に対してシフトされている。
請求項（抜粋）：
半導体装置製造用の位相シフトマスクであって:透明基板(25);前記透明基板上のクロム層(26)であって、該クロム層は所定の高さ、所定のパターンに形成された複数のすき間および該すき間内に複数のサイドウォールを持つところのクロム層;および前記クロム層、前記複数のサイドウォールおよび前記透明基板の露出部分を等形に被覆する位相シフト層(27)であって、該位相シフト層は前記クロム層の両サイドウォールから所定の距離(29)内を通過する入射光に180度の位相シフトをもたらす屈折率を有する材料から形成されるところの位相シフト層;を含むことを特徴とする位相シフトマスク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 311 W
