特許

J-GLOBAL ID：200903027527630372

薄膜トランジスタ及びそれを用いた液晶表示装置及びCMOS回路

発明者： 竹中 敏
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-074221
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270699
出願日： 1997年03月26日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：

【要約】【課題】 製造工程数を増やすことなく、自己発熱による局部的な温度上昇を抑えて信頼性の向上を図ることのできるTFT、およびそれを駆動回路などに用いたアクティブマトリクス基板を備える液晶表示装置を提供することにある。【解決手段】 TFTのソース・ドレイン領域8とチャネル領域5との間(ゲート電極4の端部に対峙する部分)にはオフセット領域7が形成されている。オフセット領域7と高濃度のソース・ドレイン領域8との境界部分70は、チャネル幅方向における中央部分がソース・ドレイン領域8の方に向けて張り出しているため、オフセット領域7は、チャネル幅方向における中央部分のオフセット長Loffcが端縁部分のオフセット長offeより長い構造になっている。

請求項（抜粋）：

ゲート電極に対してゲート絶縁膜を介して対峙するチャネル領域と、該チャネル領域に接続するソース・ドレイン領域と、該ソース・ドレイン領域の少なくとも一方と前記チャネル領域との間に形成されたオフセット領域とを有する薄膜トランジスタにおいて、前記オフセット領域は、チャネル幅方向における中央部分のオフセット長が端縁部分のオフセット長より長いことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500

FI (5件)：

H01L 29/78 617 A ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 613 A ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 616 S