特許

J-GLOBAL ID：200903027528859020

半導体装置

発明者： 大塚 康二 ,  大室 範純
出願人/特許権者： サンケン電気株式会社
代理人 (1件)： 高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-276674
公開番号（公開出願番号）：特開平6-104422
出願日： 1992年09月21日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：

【要約】【目的】 電極の半田くわれを防止することができると共に半田ぬれ性を確保することができる多層電極を有する半導体装置を提供する。【構成】 半導体基板1の上に主電極層としてAu-Ge-Ni層2を形成し、この上にAu層3、Au-Mo層4、Mo層5、Mo-Au層6、Au層7を順次に形成する。Au-Mo層4及びMo-Au層6におけるAu及びMoの含有量を徐々に変化させる。

請求項（抜粋）：

多層電極を有する半導体装置において、前記多層電極が順次に積層された第1、第2及び第3の金属層を含み、前記第1の金属層は第1の金属成分から成り、前記第3の金属層は第2の金属成分から成り、前記第2の金属層は前記第1及び第2の金属成分の混合物から成ることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/46 ,  H01L 29/48