特許

J-GLOBAL ID：200903027532163405

半導体ウェーハの洗浄方法およびその装置

発明者： 小林 敏
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-330339
公開番号（公開出願番号）：特開平5-166776
出願日： 1991年12月13日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：

【要約】【目的】 常に一定量の活性酸素濃度を保ち、洗浄力にむらがなく、また、その維持管理も容易な半導体ウェーハの洗浄方法およびその装置を提供すること。【構成】 塩酸および純水またはアンモニア水および純水よりなる洗浄液にオゾンを導入しながら洗浄することを特徴とする半導体ウェーハの洗浄方法およびその装置により上記諸目的は達成される。

請求項（抜粋）：

塩酸および純水よりなる洗浄液にオゾンを導入しながら洗浄することを特徴とする半導体ウェーハの洗浄方法。