特許

J-GLOBAL ID：200903027534654139

半導体装置の製造方法及び半導体装置

発明者： 片岡 豊▲隆▼
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-042477
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213611
出願日： 1995年02月07日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：

【要約】【目的】 耐圧が高く、しかも下地層への影響の少ないONO型絶縁膜の形成工程を備えた半導体装置の製造方法及び耐圧の高いONO型絶縁膜を備えた半導体装置を提供する。【構成】 ONO型の3層構造の絶縁膜を有する半導体装置を製造する際に、3層構造の絶縁膜を形成する工程が、シリコン基板10の熱酸化処理又は熱酸窒化処理のいずれかを行うことにより第1層16のSiO2 層又はSiON層を成膜する工程と、CVD法により第2層のSiN層18を第1層上に成膜する工程と、CVD法により第3層のSiO2 層20を第2層上に成膜する工程と、800°C から1150°C の範囲の温度条件下で酸素雰囲気中に0.5分から5分の間維持して第3層に熱酸化処理を施す工程又は熱酸窒化処理を施す工程とを備えている。

請求項（抜粋）：

順次、積層して成膜された、SiO2 膜又はSiON膜のいずれかからなる第1層と、SiN層からなる第2層と、及びSiO2 膜又はSiON膜のいずれかからなる第3層とで構成された3層構造の絶縁膜を半導体基板上にゲート絶縁膜として形成する工程を有する半導体装置の製造方法、又はフローティングゲート型不揮発性メモリのフローティングゲートとコントロールゲートとの間にゲート間絶縁膜としてを前記3層構造の絶縁膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法において、前記3層構造の絶縁膜を形成する工程が、シリコン基板の熱酸化処理又は熱酸窒化処理のいずれかを行うことにより第1層を成膜する工程と、CVD法により第2層を第1層上に成膜する工程と、CVD法により第3層を第2層上に成膜する工程と、800°C から1150°C の範囲の温度条件下で酸素雰囲気中に0.5分から5分の間維持して第3層に熱酸化処理を施す工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 21/90 M ,  H01L 29/78 301 P ,  H01L 29/78 371