特許

J-GLOBAL ID：200903027539067576

半導体装置の製造方法および光導波路の製造方法

発明者： 渡辺 孝幸 ,  伊藤 浩明 ,  藤井 卓也
出願人/特許権者： 富士通カンタムデバイス株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-393318
公開番号（公開出願番号）：特開2002-198616
出願日： 2000年12月25日
公開日（公表日）： 2002年07月12日
要約：

【要約】【課題】 InP層の成長に伴い形成された段差を平坦化する。【解決手段】 成長されたInP層に、少なくとも塩酸と酢酸とを含むエッチャントを使ったウェットエッチング工程を適用する。

請求項（抜粋）：

成長開始面上にInP層を、前記InP層が段差形状を有するように成長する工程と、前記InP層に対して塩酸と酢酸とを含むエッチャントを使ったウェットエッチングを行い、前記InP層の表面を平坦化する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01S 5/227 ,  G02B 6/13 ,  H01L 21/308

FI (3件)：

H01S 5/227 ,  H01L 21/308 C ,  G02B 6/12 M

Fターム (17件)：

2H047KA04 ,  2H047MA07 ,  2H047PA21 ,  2H047PA24 ,  2H047QA02 ,  2H047TA00 ,  5F043AA15 ,  5F043BB08 ,  5F043FF05 ,  5F043FF07 ,  5F073AA22 ,  5F073AA74 ,  5F073BA01 ,  5F073CA12 ,  5F073CB02 ,  5F073DA23 ,  5F073DA24

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 化合物半導体のエッチング方法、半導体レーザ素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-028187   出願人：松下電器産業株式会社