特許

J-GLOBAL ID：200903027539319125

半導体エッチング液,半導体エッチング方法,及びGaAs面の判定方法

発明者： 北野 俊明
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-038028
公開番号（公開出願番号）：特開平7-007004
出願日： 1994年03月09日
公開日（公表日）： 1995年01月10日
要約：

【要約】【目的】 物質の違いによって顕著にエッチング速度が異なり、選択エッチングのできるエッチング液、及びこれを用いた半導体エッチング方法を提供する。【構成】 GaAs/AlGaAs,GaAs/InGaAs,AlGaAs/InGaAs,InGaAs/AlGaAs,InGaAs/GaAsの層構造を有する半導体の選択エッチングにおいて、有機酸/過酸化水素系混合溶液に、塩基性化合物を添加しpHを調整する。

請求項（抜粋）：

AlGaAs層と、該AlGaAs層上に形成されたGaAs層とを含む層構造に対しエッチングを行い、該GaAs層をAlGaAs層に対し選択的にエッチングするエッチング液において、有機酸/過酸化水素系混合溶液に、pH6.0〜8.0となるよう塩基性物質を加えてなることを特徴とする半導体エッチング液。

IPC (7件)：

H01L 21/308 ,  H01L 29/205 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (4件)：

H01L 29/205 ,  H01L 29/72 ,  H01L 29/80 H ,  H01L 29/80 B