特許
J-GLOBAL ID：200903027542147599
シリコンダイアフラム圧力センサの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-143420
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102494
出願日： 1991年06月14日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：
【要約】【目的】 ダイアフラムの厚さ制御に優れ、コレクタ抵抗の低いバイポーラトランジスタをもつシリコンダイアフラム圧力センサの製造方法を提供すること。【構成】 N型Si基板101の裏面にN型埋込層102を形成し、このN型Si基板101の裏面に溝を形成し、そしてN型Si基板101の裏面にP型のエピタキシャル層108を形成しその後、所定深さまで研磨し、それからP型のエピタキシャル層108と他のSi基板110を酸化膜109を介して張り合わせる、そしてN型Si基板101表面をP型のエピタキシャル層108が露出するまで研磨し、その後、ピエゾ抵抗形成領域105側の先の他のSi基板110に選択的に溝を形成するようにした。
請求項（抜粋）：
第1導電型のSi基板の裏面に第1導電型の埋込層を形成する工程と、前記裏面の所定部に選択的に溝を形成する工程と、前記裏面に第2導電型のエピタキシャル層を形成する工程と、前記第2導電型のエピタキシャル層を所定の深さまで研磨する工程と、前記第2導電型のエピタキシャル層と他のSi基板を酸化膜を介して張り合わせる工程と、前記第1導電型のSi基板表面を前記第2導電型のエピタキシャル層が露出するまで研磨する工程と、ピエゾ抵抗形成領域側の前記他のSi基板に選択的に溝を形成する工程とを有することを特徴とするシリコンダイアフラム圧力センサの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 29/84
, G01L 9/04 101
