特許
J-GLOBAL ID：200903027544900219
シリコンオンインシュレータ基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
寒川 誠一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-022237
公開番号（公開出願番号）：特開平5-217822
出願日： 1992年02月07日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】【目的】 シリコンオンインシュレータ基板の製造方法の改良に関し、界面準位の少ないSOI基板の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 第1の半導体ウェーハ1上に絶縁膜2を形成し、絶縁膜2の形成された第1の半導体ウェーハ1上に第2の半導体ウェーハ3を重ね合わせ、熱処理をなして相互に接着する工程を有するシリコンオンインシュレータ基板の製造方法において、第1の半導体ウェーハ1上に第2の半導体ウェーハ3を重ね合わせる工程に先立ち、絶縁膜2または第2の半導体ウェーハ3にフッ素イオンをイオン注入し、熱処理工程は1000°Cの温度においてなすか、または、第2の半導体ウェーハ3をフッ酸を使用して洗浄し、熱処理工程は450°Cの温度においてなすように構成する。
請求項（抜粋）：
第1の半導体ウェーハ(1)上に絶縁膜(2)を形成し、該絶縁膜(2)の形成された前記第1の半導体ウェーハ(1)上に第2の半導体ウェーハ(3)を重ね合わせ、熱処理をなして相互に接着する工程を有するシリコンオンインシュレータ基板の製造方法において、前記絶縁膜(2)の形成された前記第1の半導体ウェーハ(1)上に前記第2の半導体ウェーハ(3)を重ね合わせる工程に先立ち、前記絶縁膜(2)にフッ素イオンをイオン注入する工程を有し、前記熱処理工程は1000°Cの温度においてなすことを特徴とするシリコンオンインシュレータ基板の製造方法。
IPC (2件)：
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