特許
J-GLOBAL ID：200903027551160336

固体撮像装置

発明者：
横田 一秀

横田 一秀 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-223634
公開番号（公開出願番号）：特開2006-049338
出願日： 2004年07月30日
公開日（公表日）： 2006年02月16日
要約：
【課題】特に裏面照射型の固体撮像装置に採用することが有効であり、フォトダイオードの面積を制限することなく、フォトダイオード中の余剰電荷を排出する構造を有する固体撮像装置を提供する。【解決手段】p型の半導体基板30には、n型のフォトダイオード21が形成されている。半導体基板30の第1面上には、転送トランジスタ22のゲート電極31や、増幅トランジスタ23のゲート電極32が形成されている。さらに、フォトダイオード21と平面的に重なりをもって、フォトダイオード21よりも第1面側に、n型のフローティングディフュージョン33と、ゲート電極32のn型のドレイン領域34およびn型のソース領域35が形成されている。フローティングディフュージョン33と、フォトダイオード21との間には、p型のオーバーフローバリア領域36が形成されている。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
基板に形成され、入射光量に応じた電荷を発生し、当該発生した電荷を蓄積するフォトダイオードと、 前記基板の第1面側に形成され、前記フォトダイオードで蓄積された電荷を読み出すトランジスタと、 前記フォトダイオードと平面的に重なりをもって形成され、前記フォトダイオードと間隔を隔てて前記基板の第1面側に形成されたオーバーフロードレイン領域と、 前記フォトダイオードと前記オーバーフロードレイン領域との間に形成され、前記フォトダイオード中の余剰電荷を前記オーバーフロードレイン領域へ排出し得る電位障壁をもつオーバーフローバリア領域と を有する固体撮像装置。
IPC (2件)：
H01L 27/146 ,  H04N 5/335
FI (2件)：
H01L27/14 A ,  H04N5/335 E
Fターム (17件)：
4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118DD04 ,  4M118FA06 ,  4M118FA16 ,  4M118FA19 ,  4M118GB03 ,  4M118GB11 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  5C024CX12 ,  5C024GX03 ,  5C024GY31 ,  5C024GZ03
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (4件)
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