特許

J-GLOBAL ID：200903027551924298

半導体装置

発明者： 五十嵐 一雅
出願人/特許権者： 日東電工株式会社
代理人 (1件)： 西藤 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-332213
公開番号（公開出願番号）：特開平10-173102
出願日： 1996年12月12日
公開日（公表日）： 1998年06月26日
要約：

【要約】【課題】リフロークラック時に発生する熱応力を抑制するとともに、優れた耐リフロークラック性(耐パッケージクラック性)を備えた半導体装置を提供する。【解決手段】リードフレームと、このリードフレームのダイパッド上に搭載された半導体素子を樹脂硬化体で封止してなる樹脂封止型の半導体装置であり、上記ダイパッド面がシランカップリング剤で被覆処理されており、しかも、上記樹脂硬化体が、下記の(A)〜(D)成分を含有するエポキシ樹脂組成物によって形成されている。(A)エポキシ樹脂。(B)フェノール樹脂。(C)硬化促進剤。(D)部分架橋官能性ゴム粒子。

請求項（抜粋）：

リードフレームと、このリードフレームのダイパッド上に搭載された半導体素子を樹脂硬化体で封止してなる半導体装置であって、上記ダイパッド面がシランカップリング剤で被覆処理され、かつ、上記樹脂硬化体が、下記の(A)〜(D)成分を含有するエポキシ樹脂組成物によって形成されていることを特徴とする半導体装置。(A)エポキシ樹脂。(B)フェノール樹脂。(C)硬化促進剤。(D)部分架橋官能性ゴム粒子。

IPC (6件)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  C08G 59/40 ,  C08L 63/00 ,  C08L 33:20 ,  C08L 61:04

FI (3件)：

H01L 23/30 R ,  C08G 59/40 ,  C08L 63/00