被制御素子を制御するためのアクティブマトリクスバックプレーンとその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：北村修一郎 , 山▲崎▼ 徹也
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-535396
公開番号（公開出願番号）：特表2005-539378
出願日： 2003年05月19日
公開日（公表日）： 2005年12月22日
要約：

電子装置は、基材(10)上に堆積(deposit)された電子素子(70, 74)から形成されている。前記電子素子は、前記基材を、そのそれぞれが、その中に配置された少なくとも1つの材料堆積物源(8-1〜8-12)とシャドーマスク(12-1〜12-12)とを有する複数の堆積真空容器(4-1〜4-12)に通過させることによって前記基材上に堆積される。各堆積真空容器(4)内に配置された少なくとも1つの材料堆積物源(8)からの材料は、堆積真空容器(4)内に配置された前記シャドーマスク(12)を通して前記基材(10)上に堆積されて、電子素子のアレイから成る回路を前記基材(10)上に形成する。前記回路は、もっぱら、前記基材(10)上での材料の連続堆積によってのみ形成される。

請求項（抜粋）：

電子装置を形成する方法であって、以下の工程を有する、 (a)基材を、それぞれの中に配置された少なくとも1つの材料堆積物源とシャドーマスクとを有する複数の堆積真空容器に通過させる工程、そして (b)各堆積真空容器に配置された前記少なくとも1つの材料堆積物源からの材料を、該堆積真空容器に配置された前記シャドーマスクを通して前記基材上に堆積し、電子素子のアレイから成る回路を前記基材上に形成する工程、ここで、前記回路は、もっぱら、前記基材上での材料の連続堆積によってのみ形成される。

IPC (4件)：

H01L21/336 , H01L29/786 , H05B33/10 , H05B33/14

FI (3件)：

H01L29/78 627B , H05B33/10 , H05B33/14 A

Fターム (26件)：

3K007AB18 , 3K007BA06 , 3K007DB03 , 3K007FA00 , 3K007GA00 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110DD01 , 5F110DD11 , 5F110EE06 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110GG01 , 5F110GG04 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110HK06 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110NN02 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN72 , 5F110QQ01 , 5F110QQ09

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭57-104260
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-232537 出願人：株式会社東芝

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