特許
J-GLOBAL ID：200903027552932731
ビルドアップ多層基板及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
加古 宗男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-170514
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091743
出願日： 1999年06月17日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：
【要約】【課題】 ビルドアップ多層基板の各層の厚みの均一性と配線層/絶縁層の接着性とを共に向上させる。【解決手段】 フルアディティブ法で1層目の配線層4を形成した後、ソフトエッチングにより配線層4をメッキレジスト3の側面に沿って凹溝状にエッチングして凹溝5を形成し、該配線層4の側面を露出させた上で、該配線層4の表面及び側面をインタープレート法又は黒化処理により表面処理する。この後、配線層4及びメッキレジスト3上に感光性樹脂で絶縁層6を形成し、これを露光現像処理してビアホール7を形成した後、絶縁層6の表面を粗化し、該絶縁層6の表面にメッキ触媒(Pb)を付与する。この後、絶縁層6上に感光性樹脂でメッキレジスト8を形成した後、メッキレジスト8で覆われていない部分に無電解銅メッキを施して2層目の配線層とビア導体を形成する。
請求項（抜粋）：
フルアディティブ法により形成したビルドアップ多層基板において、ビアホールを有する絶縁層と、この絶縁層上に形成されたメッキレジストと、前記絶縁層の表面のうちの前記メッキレジストで覆われていない部分に無電解メッキにより形成された配線層とを備え、前記配線層の側面と前記メッキレジストとの間に凹溝が形成されていると共に、該配線層の表面及び側面が表面処理され、該配線層の表面及び側面に、その上の層の絶縁層が密着していることを特徴とするビルドアップ多層基板。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H05K 3/46 B
, H05K 3/46 N
, H05K 3/38 B
, H05K 3/38 A
